世界首个半浮栅晶体管CPU在我国研成

　　晶体管是集成电路的基础器件。过去几十年工艺的进步让晶体管的尺寸不断缩小，越来越接近其物理极限，集成度的增加使芯片功耗密度太大而面临散热困难。因此，各国科学家和业界一直尝试在材料和电路设计方面有所突破，同时积极寻找基于新结构和新原理的晶体管，突破现有的技术瓶颈。张卫团队将隧穿场效应晶体管和浮栅晶体管的两种原理相结合，构建成了一种名为“半浮栅”的新型基础器件，它具有结构巧、性能高、功耗低的特点，可以广泛应用在CPU缓存、内存和图像传感器等领域，使产品性能有革命性的提高。
　　
　　据悉，目前，这些领域的核心专利基本上都是被美光、三星、英特尔、索尼等国外公司控制，我国少有具有自主知识产权且可应用的产品。半浮栅晶体管可与现有主流集成电路制造工艺兼容，具有很好的产业化前景，潜在应用市场规模达到300亿美元以上。目前该课题组针对这个器件的优化和电路设计工作已经开始。它将有助于我国掌握集成电路的核心器件技术，是我国在新型微电子器件技术研发上的一个里程碑。我国研成世界首个半浮栅晶体管CPU可以更快更省电
　　
　　我科学家研成世界首个半浮栅晶体管，CPU可以更快更省电。
　　
　　由复旦大学微电子学院张卫教授领衔团队研发的世界第一个半浮栅晶体管(SFGT)研究论文，近日刊登于《科学》杂志，这是我国科学家首次在该权威杂志发表微电子器件领域的研究成果。作为微电子领域的重大原始创新，该成果将有助于我国掌握集成电路的关键技术，从而在国际芯片设计与制造领域获得更大的核心竞争力。
　　
　　晶体管是集成电路的基础器件。过去几十年工艺的进步让晶体管的尺寸不断缩小，越来越接近其物理极限，集成度的增加使芯片功耗密度太大而面临散热困难。因此，各国科学家和业界一直尝试在材料和电路设计方面有所突破，同时积极寻找基于新结构和新原理的晶体管，突破现有的技术瓶颈。张卫团队将隧穿场效应晶体管和浮栅晶体管的两种原理相结合，构建成了一种名为“半浮栅”的新型基础器件，它具有结构巧、性能高、功耗低的特点，可以广泛应用在CPU缓存、内存和图像传感器等领域，使产品性能有革命性的提高。
　　
　　据悉，目前，这些领域的核心专利基本上都是被美光、三星、英特尔、索尼等国外公司控制，我国少有具有自主知识产权且可应用的产品。半浮栅晶体管可与现有主流集成电路制造工艺兼容，具有很好的产业化前景，潜在应用市场规模达到300亿美元以上。目前该课题组针对这个器件的优化和电路设计工作已经开始。它将有助于我国掌握集成电路的核心器件技术，是我国在新型微电子器件技术研发上的一个里程碑。