2015年3月20日，德国慕尼黑和日本大阪讯——英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）和松下电器公司（TSE代码：6752）宣布，两家公司已达成协议，将联合开发采用松下电器的常闭式（增强型）硅基板氮化镓（GaN）晶体管结构，与英飞凌的表贴（SMD）封装的GaN器件。
国际资讯 | 英飞凌 GaN器件 半导体 发布时间：2015-03-20
