英飞凌将与松下电器联袂，双双推出常闭型600V GaN功率器件

　　2015年3月20日，德国慕尼黑和日本大阪讯——英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）和松下电器公司（TSE代码：6752）宣布，两家公司已达成协议，将联合开发采用松下电器的常闭式（增强型）硅基板氮化镓（GaN）晶体管结构，与英飞凌的表贴（SMD）封装的GaN器件。在此背景下，松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶体管结构的许可。按照这份协议的规定，两家公司均可生产高性能GaN器件。由此带来的益处是客户可以从两条渠道获得采用可兼容封装的GaN功率开关。迄今为止，没有任何其他硅基板GaN器件提供了这样的供货组合。双方商定不披露任何其他合同细节。

　　作为新一代化合物半导体技术，硅基板GaN技术备受关注。一方面，它可以实现很高的功率密度，从而缩小设备的外形尺寸（如电源和适配器）；另一方面，它是提高能效的关键。一般而言，基于硅基板GaN技术的功率器件适用于各种领域，从高压工业设备，如服务器电源（这也是600V GaN器件的潜在应用领域之一），到低压设备，如直流-直流转换器（如在高端消费电子产品中）。IHS发布的市场研究报告显示，与硅基板GaN技术相关的功率半导体市场，将以高达50%以上的复合年增长率（CAGR）增长，也就是说，到2023年，其市场容量将从2014年的1500万美元，增至8亿美元。

　　英飞凌科技股份公司电源管理及多元化市场事业部总裁Andreas Urschitz表示：“英飞凌致力于为客户提供各式各样、出类拔萃的产品和技术组合，包括可靠的GaN功率器件。我们坚信，增强模式硅基板GaN开关器件，结合我们相应的驱动器和优化驱动方案，将为客户创造价值，同时，这种双重货源概念将帮助客户管理和稳定其供应链。”

　　松下电器半导体有限公司总裁Toru Nishida指出：“充分发挥我们在化合物半导体技术领域的丰富经验，松下电器开发的常闭型GaN功率技术采用了简单的配置和易于控制的机制。我们希望通过授权英飞凌使用我们的GaN功率技术中的常闭型GaN晶体管结构，促进GaN功率器件的推广。我们将对常闭型GaN技术进行不断创新，为打造满足客户需求的解决方案做出贡献。”